1 兆易创新：利基型存储领军者

1.1 利基存储赛道纵深发展

兆易创新科技集团股份有限公司是国内领先的半导体设计公司，主要业务包 括存储器、微控制器和传感器三大板块。公司成立于 2005 年，并于 2016 年 8 月 在上海证券交易所上市。 在存储器产品领域，公司是全球排名第一的无晶圆厂 Flash 供应商，据 WebFeet Research 报告显示，2023 年公司 Serial NOR Flash 全球市场份额第二。在 MCU 产品领域，公司亦发展势头迅猛。据 Omdia 数据，2022 年度公司全球市场 排名第 7 位，且公司当前仍是中国品牌排名第一的 32 位 Arm 通用型 MCU 供应 商。

存储器业务是公司的核心业务和主要成长点，公司专注利基型存储市场，产品 主要包括闪存芯片（NOR Flash，NAND Flash）和动态随机存取存储器（DRAM）。 其中，NOR Flash 产品主要用于存储代码及少量数据，广泛应用于工业、汽车、 消费电子、PC 及周边、网络通信、物联网及移动设备等各个领域；NAND Flash 产品根据存储容量需求的不同也各异，公司的 NAND Flash 产品属于 SLC NAND， 并已在消费电子、工业、汽车电子、通讯等多领域实现全品类产品覆盖；DRAM 是 当前市场中最为重要的系统内存，在计算系统中占据核心位置，公司专注利基型 DRAM，并与国内 DRAM 晶圆厂龙头长鑫存储深度合作，由长鑫提供 DRAM 晶 圆代工。 微控制器产品（MCU）主要为基于 ARM Cortex-M 系列、以及基于 RISC-V 内核的 32 位通用 MCU 产品。公司产品支持广泛的应用，如工业应用（包括工业 自动化、能源电力、医疗设备等）、消费电子和手持设备、汽车电子（包括汽车导 航、T-BOX、汽车仪表、汽车娱乐系统等）、计算等；公司 GD30 系列模拟产品，主要围绕 MCU 相关生态建设，涵盖了专用电源管理产品、高性能电源产品、电机 驱动产品、锂电池管理、模数转换器(ADC)及多种电压基准产品等。 传感器业务（Sensor）包括触控芯片、指纹识别芯片。公司触控芯片包含自 容和互容两大品类，涵盖手机、平板及智能家居等人机交互领域；公司指纹芯片包 括电容指纹、OLED 屏下镜头式指纹等，为手机等市场提供主流选择方案，同时为 智能门锁提供更小面积的嵌入式电容方案，为笔记本提供与电源键集成的 Windows 电容方案。

1.2 业绩稳健增长，DRAM 构建新成长曲线

存储周期回暖，业绩企稳回升。公司所处的存储行业具有一定周期属性，2023 年，受行业周期等影响，半导体行业需求复苏缓慢，加之产品价格波动，公司营收 与归母净利润阶段性下滑，2023 年实现营业收入 57.61 亿元，同比下降 29.14%； 实现归母净利润 1.61 亿元，同比下降 92.16%；实现毛利率 34.42%。 但 2024 年上半年以来，伴随着消费与网通市场需求开始回暖，第三季度工 业、存储与计算市场库存有效去化，公司积极跟进市场需求变化，营业收入与归母 净利润同比均持增长态势。2024 年 Q1-Q3 公司实现营业收入共 56.5 亿元，同比 增长 28.58%；实现归母净利润共 8.32 亿元，同比增长 91.71%；实现毛利率 39.46%，同比提升 5.08 pct。

收入结构上，存储芯片销售收入是公司的主要收入来源。2023 年公司存储芯 片销售收入为 40.77 亿元，占比达 70.77%；微控制器 MCU 营收占比为 22.86%； 传感器业务收入占比为 6.11%。从 2024 年 H1 业绩情况来看，得益于 DRAM 业 务的高速成长和 Flash 业务的回暖，存储芯片销售收入占比提升至 72.15%；微控 制器业务营收占比达 22.31%；传感器业务收入占比 5.32%。

库存持续去化，库存天数稳步下降。存储厂商的库存水位是重要的需求景气度 指标。如前所述，存储 2024 年来行业周期的稳步回暖，公司库存逐渐去化，截至 2024Q3 存货 20.38 亿元，库存天数 220 天，较 2023Q3 下降 40.1 天。

2 存储：端侧 AI 拉动利基需求，行业出清供给改善

2.1 广阔市场空间，行业周期拐点浮现

存储芯片拥有广阔市场空间和可观成长性，据 Yole 预计，存储器总体市场空 间将从 2022 年的 1440 亿美元增长至 2028 年的 2560 亿美元，年复合增长率 为 10%。从市场规模来看，预计 2028 年全球集成电路存储芯片市场中，DRAM 将以 1570 亿美元的规模将保持存储芯片领域最大细分市场的地位，约占据存储市 场半数以上的份额。

其中，利基型存储主要指相对于主流存储产品（DRAM 和 NAND）占据较小 市场份额的存储产品。这些产品通常有特定的应用需求，或是在特定的市场细分中 有竞争优势。当前应用较为广泛的品类主要包括利基型 DRAM、NOR Flash 和 SLC NAND Flash。

存储行业周期回暖，而利基型存储市场亦展现底部企稳回升态势。我们观察利 基存储行业主要龙头厂商华邦、旺宏、南亚的经营数据，三家均呈现了复苏态势。

2.2 NOR：全球份额领先，发力车规工控大容量市场

2.2.1 NOR Flash：特性优势明显，公司市场地位领先

NOR Flash 是一种非易失性存储器，即它不需要连接到电池或任何电源也可 以永久存储数据。与针对高密度存储和更快写入操作进行了优化的其他闪存类型 （如 NAND 闪存）不同，NOR 闪存主要因其可读性和随机访问功能而受到重视。 这意味着 NOR 闪存特别适合需要速度和直接数据检索的应用。此外，NOR Flash 还具有读取速度快、字节级访问、耐用性、芯片内执行（XIP）等优点。由于具有 以上特性，其也被广泛用于需要高性能和直接访问代码或固件的领域。如嵌入式系 统和消费电子产品、汽车电子、工业和医疗设备、计算机的启动存储等。 据 Yole 统计，2022 年全球 NOR FLASH 市场规模约为 32 亿美元，预计于 2028 年增长至 41 亿美元，2022-2028 年的年均复合增长率为 4.2%。

技术路径方面，当前 NOR Flash 市场有 ETOX、SONOS、NORD 三种。ETOX 为市场主流工艺结构，兆易创新、华邦、旺宏等厂商的 NOR Flash 产品皆立足于ETOX 工艺；除 ETOX 工艺外，2016 年普冉股份与赛普拉斯签署 SONOS 技术授 权协议，目前普冉主要 NOR Flash 产品为 SONOS 工艺结构。而华虹发明的 NORD Flash 器件制作工艺，目前开始于国产厂商中使用。2024 年 5 月，聚辰股份宣布 基于第二代 NORD 先进工艺平台成功推出业界最小尺寸的 NOR Flash 低容量系 列芯片，芯片尺寸相较于第一代可减少约 1/3，且不会减损芯片的性能，能够满足 诸如 WIFI 模块、BLE/BLT 蓝牙模块、可穿戴设备、IoT 设备等终端产品的设计需 求，适应电子设备对 NOR Flash 产品节能高效、小型化、轻量化的要求。 ETOX 结构是浮栅型存储器的典型代表，浮栅型 NAND 闪存存储器首次被提 出是在 1967 年，与场效应管的结构类似，但 NAND 浮栅存储器是双栅结构，在 控制栅和衬底之间加了一层多晶硅浮置栅极，用来存储电荷。 SONOS 结构是一种电荷俘获型存储器的典型结构。电荷俘获型存储器的单 元结构同浮栅型存储器的单元结构类似，其中，栅极材料是多晶硅材料，电荷阻挡 层是一层氧化物，电荷俘获层是氮化硅材料，电荷隧穿层是一层氧化物或一层 ONO(二氧化硅-氮化硅-二氧化硅)结构。与浮栅型存储器不同，该结构是利用电荷 俘获层材料本身的深能级缺陷来俘获电子实现信息存储功能的。

NORD 工艺提升了小尺寸 NOR Flash 芯片性能效果。NORD Flash 器件包 括衬底、字线多晶硅、浮栅、控制栅；浮栅的底部设置在衬底中，第一浮栅和第二 浮栅的底部与衬底之间分别设置有耦合氧化层，第一浮栅和第二浮栅的顶部高于 衬底表面；浮栅上方依次设置有极间介质层、控制栅、字线侧墙；字线多晶硅的底 部位于第一浮栅和第二浮栅之间；字线多晶硅与衬底、浮栅、极间介质层、控制栅、 字线侧墙之间设置有隧穿氧化层；隧穿氧化层的外侧还设置有第一介质层和第二 介质层；解决了小尺寸 NORD Flash 器件的性能参数难以满足器件需求的问题； 达到了提升小尺寸 NORD Flash 器件的性能效果。

SONOS 专精小容量产品，ETOX 结构在大容量有显著成本优势，而 NORD 工艺兼具低成本+大容量优势。与 ETOX 工艺相比，SONOS 工艺有效减少了光罩 数量，降低了芯片尺寸，减少芯片制造成本，有效提高了普冉股份在竞争激烈的中 小容量 NOR Flash 市场中的毛利率。同时，SONOS 工艺结构下产品操作电压更 低，因此产品功耗更低，使其性能在市场竞争中占优。但 SONOS 结构中存储单 元是一个双管单元，而 ETOX 结构的存储单元是单管单元。在中小容量领域，采 用 SONOS 工艺结构能够简化外围控制电路，大幅度降低芯片的尺寸和面积。但 在大容量存储领域，存储器芯片面积大小成为决定芯片面积的主要因素，ETOX 结 构的单管单元使其存储器芯片面积远小于 SONOS 结构，具备显著的成本优势， 因此 ETOX 结构仍是大容量 NOR Flash 领域的主流工艺。

2.2.2 兆易创新：全球份额晋位第二，产品容量覆盖齐全

NOR 市场前三大供应商为兆易与两家中国台湾厂商。根据 IC Insights 的数 据，2021 年 NOR Flash 市场份额主要被华邦、旺宏和兆易创新所占据，市占率 分别为 35%、33%和 23%，到 2023 年，兆易创新的 NOR Flash 市占率升至全 球第二。

对比国内其他厂商，兆易在大容量市场占据优势。公司推出国内首款容量高达 2Gb、高性能的 SPI NOR Flash 产品系列，覆盖 512Kb 到 2Gb 的完整产品线。

2.3 NAND：网通/工控为主力需求

2.3.1 NAND：网通工控为主力需求，大容量成本优势显著

NAND 芯片按结构可划分为 2D NAND 和 3D NAND，随着 2D NAND 的线 宽已接近物理极限，NAND 闪存已进入 3D 阶段。按照闪存颗粒储存原理又可分 为 SLC,MLC，TLC 和 QLC，层次逐步升高。其中，SLC NAND 通常属于利基型品 种，其存储密度相对较低，但具有寿命长，速率快的特点。

SLC NAND 因其高耐久、高可靠的产品特性，在工控、网通等稳定性要求较 高的领域有广泛应用。例如 KIOXIA 的 SLC NAND 导入工厂自动化设备，成为稳 定需求来源。国内厂商东芯股份的产品则在通讯领域有广泛应用，包括宏基站、微 基站以及家用网通产品（光猫、WiFi6 和随身 Mifi 等。在传统通讯领域，随着 5G、 WiFi 等技术的应用和升级，类似 PON、路由器、机顶盒等通讯设备）同步在升级 换代，对 SLC NAND 的市场需求形成支撑。IoT Business News 预测 WiFi 7 将 在 2024 年加速渗透，或将为 SLC NAND 在传统领域的应用提供增长动能。

AI 推动终端设备代码存储量上升，SLC 相较 NOR 在大容量下有成本优势。 随着 AI 在终端设备的普及，叠加物联网发展，越来越多的计算密集型功能（例如 实时视频/音频处理、设备间通信等）开始集成在终端设备中，这些设备需要更多的空间储存可执行代码。目前，主流的代码存储芯片方案包括NOR Flash和NAND， 如前文提到，NOR Flash 读取速度更快，而 NAND 单位容量成本更低。代码量不 大时，NOR Flash 因其读取更快，能够提供更快的系统响应速度，是代码存储的 主流选择。然而当代码量来到 Gb 级，NOR Flash 成本显著上升（256Mb NOR 售价 4 美金；1Gb NAND 售价 1 美金），又因很多终端设备对响应速度要求不高， NAND 开始逐渐取代 NOR，成为代码存储芯片的新兴选择。SLC NAND 开始在 消费电子（TV、电子游戏机、可穿戴设备）、车规、安防和医学影像设备等领域打 开新的增量空间。

2.3.2 兆易创新 NAND：容量广领域多，竞争势态明朗

SLC NAND Flash 市场主要参与者为铠侠、华邦电子、旺宏电子等海外和中 国台湾厂商。 公司在 NAND Flash 产品线方面，38nm 和 24nm 两种制程全面量产，并正 在以 24nm 为主要工艺制程，容量覆盖 1Gb-8Gb，其中 SPI NAND Flash 在消 费电子、工业、汽车电子等领域实现了全品类覆盖。公司 38nm SLC NAND Flash 车规级产品容量覆盖 1-4Gb，搭配车规级 SPI NOR Flash，为进入车用市场提供 更多机会。

2.4 DRAM：专注利基型 DRAM 市场，海外原厂逐步退出 供需格局改善

2.4.1 DRAM：市场份额高度集中，竞争格局稳定

DRAM，也称为动态随机存取存储器，其主要特征是读写速度快、延迟低， 但掉电后数据会丢失，常用于计算系统的运行内存。DRAM 具有一定的市场规模， 为半导体存储器第一大产品。目前，DRAM 存储器市场份额高度集中，行业龙头 企业主要为三星、SK 海力士和美光三者，截止 2024 第三季度，三家企业市场份 额分别为 39.5%、34.7%和 20.6%，竞争格局稳定。

利基型 DRAM 包括 8Gb 以下，DDR4/LPDDR4 及以下代际产品。DDR 系 列产品历经 20 余年，从 2000 年推出第一款产品 DDR1 到 2021 年推出 DDR5， 产品迭代方向为高存储密度，高传输速率和低功耗。目前主流 DRAM 产品下游应 用为数据中心、PC、手机和图形显示卡，而利基型产品为 DDR2 及以下产品、4Gb 以下的 DDR3、8Gb 以下的 DDR4。LPDDR 由 DDR 产品演变而来，具备低功 耗、小体积的特点，可提供更窄的通道宽度和支持多种低功耗运行状态，主要应用 于智能手机、平板电脑、超轻薄型电脑、智能穿戴等领域。

2.4.2 利基型 DRAM：主流原厂退出，供需格局改善

标准型 DRAM 价格当前处于底部回升的初期，而利基型价格涨幅不及标准 型，仍处于周期底部。受益 AI 算力需求增长带来数据中心存储需求增量，以及海 外龙头厂商转产 HBM 对 DRAM 产能的挤占，标准型存储价格自 2023 年以来有 显著回升。据 iFinD 数据，DDR5 16Gb 价格在 2023 年 4 月触底至 3.17 美元， 而后回升至 4.65 美元，涨幅 46.69%；进入 24Q3 以来受消费市场需求不及预期 影响，再度出现阶段性回落至 3.9 美元，降幅达 16.13%。 而利基型 DRAM（DDR3\DDR4 4Gb）下游则主要为消费、工业市场，当前 价格仍处于周期底部，较前低无明显涨幅。但长期来看，海外存储大厂正逐步退出 利基市场，行业供需格局改善有望带来长期的价格向上动力。

韩厂方面，据 trendforce 相关报告，SK 海力士计划在 2024 年年底前将 DDR4 DRAM 产量占其 DRAM 产品总产量的比例从原来的 30%降低至 20%；三星在 2024 年二季度末已通知客户其将停产 DDR3；SK 海力士方面，则更早在 2023 年 底将大陆无锡厂将 DDR3 制程转进 DDR4，等同于不再供货 DDR3。 美光方面，为扩充 DDR5、高带宽内存产能，同样大幅减少了 DDR3 供应量。 我们认为数据中心市场标准型 DRAM 和 HBM 需求增长是三大原厂逐步退出 利基市场的主要动力，随着三大原厂退出，利基市场供需格局有望持续改善，国内 厂商的市场份额将有望进一步提升。

2.4.3 兆易创新 DRAM ：多产品线布局、资本运作密切

兆易创新在 DRAM 领域专注利基市场，并已推出 DDR4、DDR3L 等产品，在消费电子、工业、网络通信等领域取得较好的营收，并持续推进规划中的其他自 研产品。其中 DDR3L 产品提供市场通用的 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb 容量；DDR4 8Gb 产品已流片成功，并已为客户提供样本，以 4Gb/8Gb 容量为市场提供广泛的应用 选择。

2024 年 11 月，兆易公告变更募投项目内容，其 DRAM 项目产品线由原来 的 DDR3、DDR4、LPDDR3 和 LPDDR4 调整为 DDR3、DDR4、LPDDR4 和 LPDDR5。增加 LPDDR5 符合公司对产品市场周期的最新研判，公司预计 LPDDR5 产品将在 2029 年或 2030 年进入小容量产品市场，能够与公司募投项目周期相匹 配，有助于公司未来发展。

在 DRAM 业务方面，兆易与国产 DRAM 晶圆厂龙头长鑫保持紧密合作关系。 自 2020 年以来，公司向长鑫关联交易额（采购晶圆）规模快速增长，2024 年关 联交易额预算为 9.95 亿元。2024 年 12 月 17 日，公司披露 25H1 关联交易预算， 预计 25H1 向长鑫采购额达 5.89 亿元。

2.5 端侧 AI 需求引领利基存储新形态

2.5.1 华邦发布 CUBE 方案发力定制化边缘计算市场

端侧 AI 算力需求兴起，当前市面上的大模型因其复杂的架构和庞大的模型尺 寸，对系统资源提出了高要求。这些模型包含海量参数，需要相当大的内存带宽才 能在运行过程中快速访问数据。生成响应和创建内容需要大量的计算，这给处理资 源带来巨大压力，进而影响整体系统性能。此外，存储及处理大量模型负载也导致 内存的使用率居高不下。 针对端侧 AI 算力需求，华邦发布了 CUBE 方案，即 Customized/Compact Ultra Bandwidth Elements（半定制化紧凑超高带宽 DRAM），以突破边缘计 算的存储瓶颈。 CUBE 作为一款高带宽、低功耗、紧凑尺寸，以及极具成本效益的内存解决方 案，可以满足 AI 应用日益增长的需求，并且可供模组制造商和 SoC 厂商直接部 署。 在功耗方面，CUBE 在 D20 工艺中功耗低于 1pJ/bit，能够延长设备运行时 间、优化电源消耗；带宽方面，CUBE 的 IO 速度于 1K IO 可高达 2Gbps。当与 28nm 和 22nm 等成熟工艺的 SoC 集成，CUBE 可到达 32GB/s 至 256GB/s 带 宽，相当于 HBM2 带宽,也相当于 4 至 32 个 LP-DDR4x 4266Mbps x16 IO；成 本效益方面，CUBE 采用 3D 架构，巧妙地将 SoC 置上以更加靠近散热器，如果 去除 TSV 区域损失，其芯片尺寸可能会更小并为边缘 AI 设备带来更明显的成本优 势；容量方面，基于 D20 工艺的 CUBE 可以设计为 1-8Gb/die 容量，基于 D16 工艺的为 16Gb/die 容量（高于普通 lpddr 产品的 8Gb 容量，低于 HBM 的 64Gb 容量）。

CUBE 主要从性能、能耗、外形、灵活性等方面增强端侧算力。CUBE 增加 I/O 数量与提高数据速度，提高前端 3D 结构（如 CoW 和 WoW）以及后端 2.5D/3D硅中介层上芯片和 Fan-Out 解决方案的性能，能为 AI 运算提供更快速的数据交 互和更高效的硬件架构支持；CUBE 的低功耗特性使其适用于功耗敏感的高带宽端 侧 AI 设备；CUBE 基于 3D 堆叠以及小尺寸实现的紧凑外形有利于 AI 在更多场 景下的应用和部署，同时其创新 3D 架构将 SoC 置上，更靠近散热器，也能有效 缓解边缘 AI 计算的散热问题；CUBE 可根据特定客户的 SoC 规格定制芯片面积， 还能通过引入 TSV 进一步提高信号完整性、电源完整性以及整体系统效率，为客 户提供量身打造的解决方案，满足各种 AI 应用的特定要求，使其能在不同平台和 应用中无缝高效地部署 AI 模型。 兆易同华邦同为利基型 DRAM 厂商，同样布局了端侧定制化存储新产品线。 2024 年 7 月公司发布公告，拟成立控股子公司青耘科技，开拓包括定制化存储方 案在内的新技术、新业务、新市场和新产品，有望受益 AI 端侧应用发展对存储的 需求增量。

2.5.2 四大新型存储助力存算一体

新型存储器以四大主流技术路线为主：PCRAM、RRAM、MRAM、FeRAM， 其具备读写速度快、低功耗、非易失性等优点，同样是当前 AI 端侧算力发展下的 一种存储解决方案。 相变存储器，Phase-change RAM，简称 PCM 或 PCRAM。PCM 的原理 是：标准 CMOS 逻辑芯片上方的硫属化物玻璃材料因电流注入产生的剧烈的热量 呈现不同的相态，从而表现出不同的阻抗和反射率，变为导电或电阻。目前,国际 上仅有三星、英特尔等推出了相关产品，但多为非嵌入式相变存储器产品，距离 PCM 量产和普及，仍然需要一些时间。 磁性存储器，MagneTIc RAM，简称 MRAM，是一种基于隧穿磁阻效应的 技术。在工艺取得进一步突破之前，MRAM 产品主要适用于容量要求低的特殊应 用领域，以及新兴的 IoT 嵌入式存储领域。 铁电存储器，RAM（FRAM 或 FeRAM）是最古老的新兴存储器，其不使用 任何铁，而是只有一个磁滞回线来允许它存储数据。目前主流的铁电材料主要是锆 钛酸铅（PZT）和钽酸锶铋(SBT)，但其存在疲劳退化问题，并导致对环境的污染。 此外氧化铪 (HfO2)并未用于生产 FRAM，但它具有广阔的前景，国内也有相应的 创业公司在实现这一技术路线。 阻变存储器，ResisTIve Random Access Memory，简称为 ReRAM 或 RRAM。RRAM 的原理是在外加偏压的作用下,器件的电阻会在高低阻态之间发生 转换。目前富士通、松下、Crossbar、索尼、美光、SK 海力士等厂商均在开展 ReRAM 的研究和生产工作。在代工厂方面，中芯国际、台积电和联电都在同步规划 ReRAM 的生产。Adesto 的 130nm CBRAM 和松下的 180nm ReRAM 已经量产。

兆易创新同样在新型存储 ReRAM 方面早有布局。兆易于 2018 年与 Rambus 合作投资了合肥睿科微电子公司，该公司主要聚焦于新型存储 RRAM 的商业化。

3 MCU：国内领先优势显著，产品门类齐全

3.1 MCU 市场规模稳健增长，下游应用广泛

MCU，也叫做微控制单元，是把中央处理器（CPU）的频率与规格做适当缩 减，并将内存、计数器、USB、A/D 转换、UART、PLC、DMA 等周边接口，甚至 LCD 驱动电路都整合在单一芯片上，形成芯片级计算机，为不同的应用场合做不 同组合控制。 按用途分类，MCU 可分为通用型 MCU 和专用型 MCU。其中通用型是指将 可开发的资源(ROM、RAM、I/O、 EPROM)等全部提供给用户的 MCU；专用型 MCU 是指硬件及指令是按照某种特定用途而设计，例如录音机机芯控制器、打印 机控制器、电机控制器等； 按指令结构，MCU 又可分为 CISC(复杂指令集计算机)和 RISC(精简指令集计 算机微控制器)。 根据市场研究机构 Yole Group 最新发布的报告显示，2023 年全球微控制器 （MCU）市场规模为 282 亿美元，预计到 2029 年将增长值 388 亿美元，年复 合增长率达 5.5%。从具体的应用市场占比来看，2023 年-2029 年间汽车市场将 持续占据 MCU 第一大应用市场，不过占比将缓慢收窄；工业和其他领域则将持续 占据 MCU 第二大应用市场；智能卡及安全类应用是第三大应用市场，并在未来份 额有望持续扩大。

从 MCU 行业竞争格局来看，全球主要供应商仍以国外厂家为主。根据 Yole2022 年对全球 MCU 市场的数据分析，在整个 MCU 市场中，排名前十的厂 商分别是英飞凌（18%）、瑞萨（18%）、恩智浦（18%）、意法半导体（15%）、微 芯 Microchip（12%）、德州仪器（6.5%）、三星电子（2%）、新唐科技（2%）、 Silicon Labs（1.5%）和华大半导体（1%）。 根据 IC Insights 公布的全球 MCU 芯片企业竞争情况分析，各大厂商为争夺 市场份额，积极布局强劲增长的物联网应用领域，并出现了数起大规模并购，如瑞 萨(NXP)在 2015 年以 118 亿美元收购飞思卡尔，完成了在汽车电子领域的布局; 微芯科技(Microchip)在 2016 年完成对 Atmel 的收购等。

3.2 兆易创新：多应用场景全覆盖，车规方向重点布局

兆易创新在国内 32bit MCU 产品领域占领导地位。公司现已量产 GD32 MCU 产品共 51 个产品系列、超过 600 款 MCU 产品，实现了对高性能、主流性、 入门级、低功耗、无线、车规、专用产品的全面覆盖。公司产品内核还覆盖 ARM 的 M3、M4、M23、M33 及 M7。 观察海外龙头的产品线布局，在诸多下游市场各有优势。瑞萨则在汽车市场占 比较高，同时也是 16 位和 32 位 MCU 的第一大供应商；英飞凌作为全球最大汽 车半导体厂商，同样在车规 MCU 市场占据领先地位；ST 专注汽车、工业、个人 电子设备和通信设备、计算机及周边设备四大终端市场；微芯则重点布局电机控制、 安防、触摸控制等产品线。

对比海外龙头产品线，当前兆易在车规市场还有较大的拓展空间。截至 2024 年中报披露，公司车规级 GD32A 系列 MCU 提供 4 种封装共 10 个型号供市场选 择，满足车身控制、车用照明、智能座舱、辅助驾驶及电机电源等应用需求。

此为报告精编节选，报告PDF原文：《兆易创新(603986)深度报告：存储龙头稳健前行，聚焦利基市场多元成长-民生证券[方竞,张文雨]-20250124【29页】》报告来源：【价值目录网】